એક કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડતા તે $60\,\mu C$ જેટલો વિદ્યુતભાર સંગ્રહિત કરે છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે,ત્યારે બેટરીમાંથી વધારાનો $120\,\mu C$ વિદ્યુતભાર વહે છે. દાખલ કરેલા ડાયઇલેક્ટ્રિકનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર સેટઅપમાં,કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $2 \, m^{2}$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1 \, m$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $0.5 \, m$ જાડાઈ અને $2 \, m^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે (આકૃતિ જુઓ),તો સેટઅપનું કેપેસિટન્સ $......... \, \varepsilon_{0}$ થશે. (પદાર્થનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $= 3.2$) (નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરો).

આકૃતિમાં દર્શાવેલ ગોઠવણીને ધ્યાનમાં લો. જ્યારે કળ $K$ બંધ હોય ત્યારે સંગ્રહિત કુલ ઉર્જા $U_1$ છે. હવે કળ $K$ ને ખોલવામાં આવે છે અને બે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\epsilon_r$ ધરાવતી બે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે બરાબર ફિટ થઈ જાય છે. હવે સંગ્રહિત કુલ ઉર્જા $U_2$ છે. તો $U_1/U_2$ નો ગુણોત્તર શોધો.

જો આપેલ તંત્રનો સમતુલ્ય ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ હોય,તો...

$C$ અને $3C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને સમાંતર જોડવામાં આવે છે અને $18V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને $K=9$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. કેપેસિટરના આ સંયોજન પરનો અંતિમ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V^{\prime}$ હશે. $V^{\prime}$ શોધો. ($V$ માં)

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેનું આડછેદનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે,તેની પ્લેટો વચ્ચે હવા રહેલી છે. હવે,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ સમાન ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પરંતુ $t = d/2$ જાડાઈની એક અવાહક સ્લેબ,જેનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 4$ છે,તેને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. નવા કેપેસિટન્સ અને તેના મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?